Giáo trình Điện tử cơ bản - Chương 7: Khuếch đại thuật toán và ứng dụng của chúng - Nguyễn Bá Vương

Nội dung text: Giáo trình Điện tử cơ bản - Chương 7: Khuếch đại thuật toán và ứng dụng của chúng - Nguyễn Bá Vương

1. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Chương 7 Khuếch đại thuật toán và ứng dụng của chúng Ngày nay IC analog sử dụng rộng rãi trong kỹ thuật điện tử. Khi sử dụng chúng cần đấu thêm các điện trở, tụ điện, điện cảm tùy theo từng loại và chức năng của chúng. Sơ đồ đấu cũng như trị số của các linh kiện ngoài được cho trong các sổ tay IC analog. Các IC analog được chế tạo chủ yếu dưới dạng khuếch đại thuật toán - như một mạch khuếch đại lý tưởng - thực hiện nhiều chức năng trong các máy điện tử một cách gọn - nhẹ - hiệu suất cao.ở chương này ta xét các khuếch đại thuật toán và một số ứng dụng của chúng. 7.1. Khuếch đại vi sai Khuếch đại vi sai là khuếch đại mà tín hiệu ra không tỷ lệ với trị tuyệt đối của tín hiệu vào mà tỷ lệ với hiệu của tín hiệu vào. Khuếch đại vi sai được sử dụng để khuếch đại tín hiệu có tần số giới hạn dưới nhỏ ( tới vài Hz) , gọi là tín hiệu biến thiên chậm hay tín hiệu một chiều. Ta có thể coi dải thông của nó là 0 ÷ fC. Nếu sử dụng khuếch đại RC để khuếch đại loại tín hiệu này thì các tụ nối tầng phải có trị số rất lớn nên bất tiện. Khuếch đại vi sai thích hợp cho loại tín hiệu này,ngoài ra nócòn có nhiều tính chất quí báu mà ta sẽ nói tới sau này. Khuếch đại vi sai là cơ sở để xây dựng khuếch đại thuật toán nên ta xét lý thuyết loại khuếch đại này. 7.1.1. Sơ đồ nguyên lý của khuếch đại vi sai. Xét sơ đồ nguyên lý của khuếch đại vi sai trên hình 7.1. Đây là một cầu cân bằng song song: hai nhánh của cầu là RC1 và RC2, hai nhánh kia là hai transistor T1 và T2. Nếu RC1 = RC2 và hai transistor có tham số hệt nhau thì cầu cân bằng.Mạch có hai đầu vào V1 và V2, tín hiệu ra Ura lấy giữa hai colecto của T1 và T2. Nếu đưa vào hai đầu vào hai tín hiệu giống hệt nhau cả về biên độ và pha thì tín hiệu đó gọi là đồng pha, còn biên độ như nhau nhưng ngược pha thì gọi là tín hiệu ngược pha hay tín hiệu hiệu.Xét phản ứng của mạch đối với tín hiệu vào đồng pha và ngược pha. + _ CC RC' E RC RR1 1' URa V2 V1 R 2 RE R 2' Hình 7.1: Khuếch đại vi sai trên transistor lỡng cực Nếu coi mạch hình 7.1 hoàn toàn đối xứng ( R’1 = R1, R’2 = R2, RC1 = RC2, T1 và T2 giống hệt nhau) thì tín hiệu vào đồng pha sẽ gây nên phản ứng hệt nhau cả về trị tuyệt đối và dấu của các dòng emitter và colectơ của T1 và T2. Như vậy điện áp ở hai colectơ sẽ biến thiên như nhau và điện áp ra sẽ bằng không, giống như ở trạng thái tĩnh. Nói cách khác là mạch ra của khuếch đại vi sai lý tưởng không phản ứng với tín GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
2. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm hiệu vào đồng pha. Trong khi đó gia số của dòng emitter của T1, T2 sẽ tạo nên trên RE một điện áp hồi tiếp âm làm giảm lượng biến thiên của colectơ so với trường hợp RE = 0. Khi tín hiệu vào là ngược pha đặt vào hai base thì các dòng biến thiên như nhau về trị tuyệt đối nhưng ngược chiều ( ngược dấu), tức là điện áp Ura sẽ xuất hiện. Lúc này điện áp hồi tiếp âm trên RE không xuất hiện vì dòng emitter của một transistor tăng bao nhiêu thì dòng emitter của transistor kia giảm đi bấy nhiêu. Như vậy khuếch đại vi sai phản ứng với tín hiệu vào ngược pha. Vì khuếch đại vi sai lý tưởng phản ứng với tín hiệu vào ngược pha, không phản ứng với tín hiệu vào đồng pha nên tất cả những biến thiên do nhiệt độ, lão hoá linh kiện, tạp âm, nhiễu có thể coi là các tác động vào đồng pha. Tức là khuếch đại vi sai sẽ làm việc ổn định, ít bị nhiễu tác động. Trên vừa phân tích tác dụng của RE ta thấy RE càng lớn thì hồi tiếp âm sẽ càng lớn, càng có tác dụng nén các tín hiệu vào đồng pha ký sinh. Tuy nhiên nếu RE chọn lớn thì nguồn ECC phải chọn lớn. Cần chọn một phần tử có trị số điện trở lớn đối với các biến nhanh ( điện trở xoay chiều lớn), trị số điện trở nhỏ đối với các biến thiên chậm ( điện trở một chiều nhỏ) thay vào điện trở RE. Phần tử như vậy chính là transistor T3 trong sơ đồ hình 7.2a. IC(mA) IB=80μA 8 IB=60μA ΔIC IC0 IB=40μA 4 IB=20μA UCE(V) 0 UCE0 48UCE1 ΔUCE a) b) Hình 7.2: a) Mạch khuếch đại vi sai có nguồn dòng b) Đặc tuyến ra của transistor Đặc tính ra của transistor trình bày trên hình 7.2b. Từ hình này ta thấy điện UCEo ΔUCE trở một chiều R = nhỏ hơn nhiều so với điện trở xoay chiều R ~ = . ICo ΔIC Transistor T3 được mắc vào mạch emitter như ở hình 7.2a làm tăng thêm khả năng ứng dụng của khuếch đại vi sai . Khuếch đại vi sai có thể có hai nguồn độc lập ECC và E02 như ở hình 7.2a hoặc một nguồn chung. Các điện trở R3, R4, R5 có chức năng như trong các mạch GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
3. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm khuếch đại đã xét. Diode D mắc thuận vào phân áp base của T3 nhằm tăng khả năng ổn định nhiệt, sẽ nói đến ở các phần sau. Xét cách đưa tín hiệu vào và lấy tín hiệu ra ở mạch hình 7.2a. Tín hiệu vào có thể đưa vào các đầu vào ký hiệu V1, V2, V3 và V4 theo các phương án sau: - Tín hiệu vào có thể đưa vào hai cực V1 và V2. Lúc này hai cực của nguồn tín hiệu hoặc là phải cách điện với "mát", hoặc là phải có cực tính đối xứng qua "mát". Cách đưa tín hiệu vào như vậy gọi là đưa vào đối xứng,các đầu vào này của khuếch đại vi sai gọi là đầu vào đối xứng. - Tín hiệu vào có thể đưa vào V1 ( hoặc V2 ), lúc đó V2( hoặc V1) phải đấu qua một điện trở nhỏ hoặc đấu trực tiếp xuống “mát”. Khuếch đại vi sai trong trường hợp này gọi là có đầu vào không đối xứng với tín hiệu vào không đối xứng. - Tín hiệu vào có thể đưa vào cực V3 hoặc V4 và điểm "mát". Nếu nguồn tín hiệu có hai cực cách ly với "mát" thì có thể đưa vào hai điểm V3 và V4. -Tín hiệu ra lấy ở hai điểm ra1 và ra2 - lấy ra đối xứng hoặc lấy ra giữa ra1 hoặc ra2 so với "mát". Nếu tín hiệu vào đưa vào V1 không đối xứng thì tín hiệu ra ở ra1 quay 0 pha 180 , lúc này ra1 gọi là đầu ra đảo, ra2 gọi là đầu ra không đảo. 7.1.2. Đặc tính truyền đạt của khuếch đại vi sai Nếu tín hiệu vào đối xứng đưa vào V1 và V2 ký hiệu là Uh thì đặc tính truyền đạt sẽ là sự phụ thuộc của các dòng colectơ vào tín hiệu này. Nếu đầu vào V3 và V4 không đưa tín hiệu nào vào thì T3 có thể coi là một nguồn dòng I0 có nội trở R0 tại điểm công tác. Điện trở này thực tế có trị số khá lớn so với các điện trở trong mạch nên có thể coi nguồn dòng IO là lý tưởng. Ta tìm đặc tính truyền đạt IC = f(Uh). Dòng colectơ trong transistorr ở chế độ khuếch đại có biểu thức: ⎛⎞U ⎜⎟BE ⎝⎠U T IIeEE0= (7.1) Trong đó IE 0 là dòng emitter khi UBE = 0 và mặt ghép colectơ phân cực ngược. UT - điện áp nhiệt ( 0,25mV), lúc này: ⎛⎞ ⎛ ⎞ ⎜⎟UUUBE1⎛⎞ ⎜ BE2− BE1 ⎟ ⎜⎟ ⎜ ⎟ ⎜⎟⎜⎟ ⎜ ⎟ ⎝⎠UUTT ⎝ ⎠ II0E01E02E01=+= I Ie⎜⎟ 1e+ (7.2) ⎜⎟ ⎜⎟ ⎝⎠ Điện áp vào Uh = UV1 - UV2 = UBE1 - UBE2 và IC ≈ α IE nên α I0 IC1 = (7.3) −UUhT/ 1e+ () αI0 IC2 = (7.4) ⎛⎞U ⎜⎟h U 1e+ ⎝⎠T GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
4. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm I/IC0α U/UCT Hình 7.3: Đặc tuyến truyền đạt của KĐVS Để tiện có thể quy chuẩn IC theo αIO và Uh theo UT thì đồ thị (7.3) và (7.4) có dạng như ở hình 7.3 Có thể xác định hỗ dẫn ( độ dốc) của đặc tuyến truyền đạt hình 7.3 ⎛⎞U ⎜⎟− h ⎝⎠UT dIC1α I 0 e S1 == (7.5) ⎛⎞Uh dUh ⎛⎞⎜⎟− U1e⎜⎟+ ⎝⎠UT T ⎜⎟ ⎝⎠ Vì IC1 + IC2 ≈ αIO = const mà theo (7.3) và (7.4) thì dIC1 = - dIC2 nên dIC2 SS21==− (7.6) dUh Có thể dễ dàng xác định S1 (2) đạt max tại Uh/UT = 0 và: α I S = 0 (7.7) 1(2) max 4UT 7.1.3. Phân tích phổ của tín hiệu ra trong khuếch đại vi sai . Với đặc tính truyền đạt không phải là đường thẳng như hình 7.3 thì rõ ràng khuếch đại vi sai sẽ gây méo phi tuyến, đặc biệt khi Uh > UT. Ta xác định các thành phần hài của dòng colectơ khi tín hiệu vào là dạng hình sin UV(t) = U0 + Umcosωt (7.8) Trong đó U0 - điện áp định thiên ( base) Thay (7.8) vào (7.3) và (7.4) ta có: αI i(t)= o c1 ⎛⎞UUcost+ω (7.9) −⎜⎟0m 1e+ ⎝⎠UT αI i(t)= o c2 ⎛⎞UUcost+ω (7.10) ⎜⎟0m 1e+ ⎝⎠UT Các hàm (10.9) và (10.10) là hàm chẵn nên phân tích thành chuỗi Furrier sẽ được: ⎛⎞a ∞ i(t)=α Io + acosnt ω C1 0⎜⎟Σ n (7.11) ⎝⎠2 n1= ⎛⎞b ∞ i(t)I=αo + bcosnt ω C2 0⎜⎟Σ n (7.12) ⎝⎠2 n1= GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
5. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm 2π ω ω cos nωt adtn = (7.13) ∫ ⎛⎞UUcos0m+ ωt π 0 −⎜⎟ 1e+ ⎝⎠UT 2π ω ω cos nωt bn = dt (7.14) ∫ ⎛⎞UUcos0m+ ωt π 0 ⎜⎟ 1e+ ⎝⎠UT sin nπ Từ (7.13) và (7.14) có thể thấy an + bn = 2. nên n = 0 thì a0 + b0 = 2, nπ n ≠ 0 thì a0 + b0 = 0 nên an = bn. Như vậy với n ≠ 0 thì các thành phần hài dòng colectơ của T1 và T2 trong khuếch đại vi sai hình 7.2a có trị số như nhau và pha ngược pha nhau . Tín hiệu ra Ura Ura v(t) 0 0 Uvào t Tín hiệu vào 0 v(t) Uvào t Hình 7.4: Chế độ hạn biên của khuếch đại vi sai Cần chú ý một đặc điểm của khuếch đại vi sai là nếu U0 = 0 thì trong các dòng IC1 và IC2 sẽ không có các hài bậc chẵn. Mặt khác nếu thay đổi cực tính của U0 thì pha của 0 các hài chẵn sẽ biến đổi một lượng là 180 , còn pha các hài bậc lẻ vẫn giữ nguyên. Các kết luận trên rút ra từ việc phân tích các biểu thức (7.11 ÷ 7.14). Thực tế khi Uh = (5 ÷ 6)UT thì các dòng iC có dạng như ở hình 7.4, tức là tầng khuếch đại vi sai làm việc như một mạch khuếch đại - hạn biên. Để tăng độ tuyến tính của khuếch đại vi sai , tức là mở rộng dải thông của nó người ta thường gây hồi tiếp âm bằng cách mắc vào mạch emitter của T1, T2 các điện trở rE1 và rE2 như ở hình 7.2a. 7.1.4. Nguồn dòng trong khuếch đại vi sai . Như đã nói ở trên T3 trong khuếch đại vi sai hình 7.2a đóng vai trò của nguồn dòng. Có thể phân tích mạch hình 7.2a để xác định trị số của nguồn dòng I0 ( dòng colectơ của T3) như sau: GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
6. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm R 4 (E02 − UBE3) + (U0 − UBE3)R 3 I0 = α3 (7.15a) R 3R 4 [R5 + rE3 + (1− α3)(rB3 + ](R 3 + R 4 ) R 3 + R 4 Trong đó α3 - hệ số truyền đạt dòng emitter của T3, UBE3 - điện áp emitter - base của T3, UD - sụt áp thuận trên điốt ,rE3 - điện trở phân bố miền emitter T1, rE3 - điện trở khối base T3. Thực tế thì R5 chọn khá lớn so với các thành phần trong dấu móc của (7.15) và UD chọn xấp xỉ bằng UBE3 để bù nhiệt có hiệu quả cao nên: α3.R 4 (E02 − UBE3) I0 ≈ (7.15b) R5 (R 3 + R 4 ) Từ (7.15b) ta thấy nguồn dòng I0 sẽ ổn định khi nguồn E02 ổn định, nguồn E01 không ảnh hưởng đến nguồn dòng I0. 7.1.5. Tính khuếch đại của khuếch đại vi sai . Xét đặc tính khuếch đại của khuếch đại vi sai với một số phương án đưa tín hiệu vào và lấy tín hiệu ra như sau: a. Vào đối xứng - Ra không đối xứng: Ura1 Ura1 Ura2 Ura2 K1 = = ; K2 = = Uv1 − Uv2 Uh Uv1 − Uv2 Uh Trong đó Ura1 và Ura2 điện áp lấy ở colectơ của T1 và T2 so với "mát". Có thể thấy ngay rằng ' K1 = + S1Rt (7.16a) K2 = - S2R''t (7.16b) S1, S2 - hỗ dẫn của đặc tính truyền đạt tại điểm công tác , R't, R''t - điện trở tải tổng quát của T1 và T2: R .R R .R R't = c v1 ; R''t = c v2 ; R c + R v1 R c + R v2 Rv1, Rv2 - điện trở đầu vào của các tầng tiếp theo mắc vào mạch colectơ của T1 và T2 ( không có trong hình (7.2a)). Trường hợp không tải hoặc Rv1>>RC , Rv2>>RC thì R't = R''t ≈ Rc và mạch đối xứng hoàn toàn S1= - S2 thì K1 = - K2. Dấu trừ nói lên điện áp ra ở hai colectơ của T1 và T2 là ngược pha nhau. b - Vào đối xứng - ra đối xứng . Ura1 − Ura2 Ura1 − Ura2 ∗ K = = = −2S1R t (7.17) Uv1 − Uv2 Uh ∗ R c.0,5Rt R t = , Rt điện trở tải mắc giữa hai colectơ của T1 vàT2 R c + 0,5Rt Khi Rt = ∞ thì K = 2K1 = - 2K2. c - Vào không đối xứng - ra không đối xứng. R1R 2 Xét trường hợp tín hiệu đưa vào V1, đầu V2 nối với Rb~ = xuống R1 + R 2 mát, tín hiệu ra lấy ở Ra1 là colectơ của T1 .Với giả thiết là Rt = RV1 = ∞ thì Ura1 K11 = = - S11RC (7.18) Uv1 GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
7. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm dIc1 αI0 với S11= = dUBE1 4UT + I0 (1− α)Rb ~ Vì |S11| < | S1| nên |K11| < | K1| . Khi Rb~ → 0 thì |S11| →| S1| và |K11| → | K1| Trường hợp này ứng với mắc ba zơ của T2 qua một tụ trị số lớn xuống ”mát” ,sao cho ở tần số biên dưới ωt thì: 1 << Rb~ ω tC Trong khuếch đại vi sai người ta còn đưa ra hệ số khuếch đại đồng pha KCm. Tín hiệu nào đồng pha là trung bình cộng đại số của hai tín hiệu vào : Uv1 + Uv2 UCm = 2 Khi UV1 = UV2, tức là Uh = 0 thì có chế độ khuếch đại tín hiệu đồng pha . Hệ số khuếch đại tín hiệu đồng pha được định nghĩa là Ura1 Ura2 Kcm = hoặc = (7.19) Ucm Ucm Nếu RE càng lớn thì Kcm càng nhỏ. Khi RE → ∞ thì Kcm → 0 Trong khuếch đại vi sai, do tính đối xứng lý tưởng không tuyệt đối nên xảy ra hiện tượng " trôi điểm không". Nghĩa là mặc dù các đầu vào V1 và V2 không có tín hiệu vào (ví dụ đấu thông V1 và V2) nhưng vẫn tồn tại một điện áp ra khác không (đo được ) giữa hai colectơ T1 và T2 , là một hàm ngẫu nhiên của biến thời gian. Đó là một hiện tượng tạo tín hiệu giả (nhiễu) ở đầu ra, đặc biệt có hại trong các máy đo lường. Có thể giảm bớt trôi điểm không bằng cách chọn T1 và T2 có tham số càng giống nhau càng tốt, các điện trở trong mạch chọn loại có độ sai số nhỏ và cùng một hệ số nhiệt. 7.2 .Khuếch đại thuật toán VS+ N -VIn - VOut +VIn + P VS- Hình 7.5: a) Ký hiệu của khuếch đại thuật toán b) Sơ đồ chân của khuếch đại thuật toán 741 c) Hình thật của khuếch đại thuật toán 741 Khuếch đại thuật toán (KĐTT) ngày nay được sản xuất dưới dạng các IC tương tự (analog). Có từ "thuật toán" vì lần đầu tiên chế tạo ra chúng người ta sử dụng chúng trong các máy điện toán. Do sự ra đời của khuếch đại thuật toán mà các mạch tổ hợp analog đã chiếm một vai trò quan trọng trong kỹ thuật mạch điện tử. Trước đây chưa có khuếch đại thuật toán thì đã tồn tại vô số các mạch chức năng khác nhau. Ngày nay, nhờ sự ra đời của khuếch đại thuật toán số lượng đó đã giảm xuống một cách đáng kể vì có thể dùng khuếch đại thuật toán để thực hiện các chức năng khác nhau nhờ mạch hồi tiếp ngoài thích hợp. Trong nhiều trường hợp dùng khuếch đại thuật toán có thể tạo GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
8. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm hàm đơn giản hơn, chính xác hơn và giá thành rẻ hơn các mạch khuếch đại rời rạc (được lắp bằng các linh kiện rời ) . Ta hiểu khuếch đại thuật toán như một bộ khuếch đại lý tưởng : có hệ số khuếch đại điện áp vô cùng lớn K → ∞, dải tần số làm việc từ 0→ ∞, trở kháng vào cực lớn Zv → ∞, trở kháng ra cực nhỏ Zr → 0, có hai đầu vào và một đầu ra. Thực tế người ta chế tạo ra KĐTT có các tham số gần được lý tưởng. Hình 7.5a là ký hiệu của KĐTT : Đầu vào (+) gọi là đầu vào không đảo P(positive), đầu vào (-) gọi là đầu vào đảo N (negative), (VS+) điện áp nguồn dương, (VS-) điện áp nguồn âm và một đầu ra (VOut). KĐTT ngày nay có thể được chế tạo như một IC hoặc nằm trong một phần của IC đa chức năng . Hình 7.6: Sơ đồ khối bên trong khuếch đại thuật toán 7.2.1 Cấu tạo của KĐTT. Để đạt được các chỉ tiêu kỹ thuật gần với dạng lý tưởng các hãng điện tử trên thế giới chế tạo các IC KĐTT khá đa dạng nhưng nhìn chung đều tuân thủ sơ đồ khối như ỏ hình 7.6 Để có đầu vào đối xứng tầng đầu tiên bao giờ cũng là tầng khuếch đại vi sai đối xứng có dòng tĩnh nhỏ, trở kháng vào lớn, cho phép mắc thêm mạch bù trôi . Tầng thứ hai là tầng khuếch đại vi sai cho phép chuyển từ đầu vào đối xứng sang đầu ra không đối xứng. Các tầng trung gian nhằm khuếch đại tín hiệu lên đủ lớn để có thể kích thích cho tầng cuối. Hình 7.7: Sơ đồ nguyên lý bên trong khuếch đại thuật toán 741 GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
9. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Tầng cuối tức tầng ra phải đảm bảo có dòng ra lớn, điện áp ra lớn và điện trở ra nhỏ. Mạch này thường là khuếch đại đẩy kéo có bù kèm theo mạch chống qua tải. Trong KĐTT ghép giữa các tầng thực hiện trực tiếp (colectơ của tầng trước nối trực tiếp với base của tầng sau) vì vậy các transistor n-p-n càng về sau càng có điểm công tác tĩnh đẩy dần về phía các giá trị dương nguồn.Vì vậy phải có một mạch dịch mức đẩy lùi điểm tĩnh về phía âm nằm trong một mạch nào đó của KĐTT. Ví dụ ta xét KĐTT hình 7.7.KĐTT ở đây có thể phân thành 4 tầng như sau: Tầng thứ nhất là tầng KĐVS đối xứng trên T1 và T2. Để tăng trở kháng vào chọn dòng colectơ và emitter của chúng nhỏ, sao cho hỗ dẫn truyền đạt nhỏ. Có thể thay T1 và T2 bằng transistor trường để tăng trở kháng vào T3, T4, R3, R4, và R5 tạo thành nguồn dòng tương tự như hình 7.2a (ở đây T4 mắc thành điôt để bù nhiệt ) Tầng thứ hai là KĐVS đầu vào đối xứng, đầu ra không đối xứng: emitter của chúng cũng đấu vào nguồn dòng T3. Tầng này có hệ số khuếch đại điện áp lớn. Tầng thứ ba là tầng ra khuếch đại đẩy kéo T9 – T10 mắc colectơ chung, cho hệ số khuếch đại công suất lớn, trở kháng ra nhỏ. Giữa tầng thứ hai và tầng ra là tầng đệm T7,T8 nhằm phối hợp trở kháng giữa chúng và đảm bảo dịch mức điện áp. ở đây T7 là mạch lặp emitter, tín hiệu lấy ra trên một phần của tải là R9 và trở kháng vào của T8 . Tầng T8 mắc emitter chung. Chọn R9 thích hợp và dòng qua nó thích hợp sẽ tạo được một nguồn dòng đưa vào base của T8 sẽ cho mức điện áp một chiều thích hợp ở base của T9 và T10 để đảm bảo có điện áp ra bằng 0 khi không có tín hiệu vào . Mạch ngoài mắc thêm R10, C1, C2 để chống tự kích. 7.2.2. Các tham số của KĐTT -Hệ số khuếch đại hiệu Ko được xác định theo biểu thức: ⎧ Ur ⎪ khiU N = 0 U U ⎪ U Ko = r = r = p (7.20) ⎨ U Uh Up − U N r ⎪− khiUp = 0 ⎩⎪ U N Theo lý thuyết Ko = ∞ , thực tế Ko = 103 ÷ 106 - Đặc tính biên độ tần số : Theo lý thuyết thì đặc tính biên độ tần số sẽ là K0 trong suốt dải tần số từ 0 ÷ ∞. Thực tế đặc tính tần số sẽ gục xuống ở tần số fC do tồn tại các điện dung ký sinh tạo thành những khâu lọc RC thông thấp mắc giữa các tầng. Tuỳ theo từng loại KĐTT mà dải thông có thể từ 0 tới vài MHz hoặc cao hơn. Hình 7.8: - Hệ số khuếch đại đồng pha KCm Nếu đặt đầu vào thuận P và đầu đảo N các điện áp bằng nhau: UP = UN = UCm ≠ 0 thì Uh = 0. Theo định nghĩa: GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
10. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Ur = K0 (UP - UN) (7.21) Thì Ur = 0 . Tuy nhiên thực tế không như vậy mà quan hệ giữa Kcm và Ucm có dạng như hình 7.8. Hệ số khuếch đại đồng pha được định nghĩa là : ΔUr KCm = (7.22) ΔUcm KCm nói chung phụ thuộc vào mức điện áp vào đồng pha. Giá trị cực đại của điện áp vào đồng pha cho trong các sổ tay của IC cho biết giới hạn của điện áp vào đồng pha cực đại để hệ số khuếch đại đồng pha không vượt quá phạm vi cho phép. Lý tưởng Kcm= 0 ,thực tế KCm luôn nhỏ hơn K0 - Điện trở vào hiệu, điện trở vào đồng pha: Điện trở vào hiệu rh và điện trở vào đồng pha rcm được định nghĩa theo (7.23) và (7.24): ⎧ ΔUp ⎪ khi U= 0 ⎪ ΔI N r = p (7.23) h ⎨ ΔU ⎪ N khi Up= 0 ΔI ⎩⎪ N ΔUp ΔU N rCm= = khi UN = Up = UCm (7.24) ΔIp ΔIN Điện trở ra của KĐTT đánh giá sự biến thiên của điện áp ra theo tải : ΔUr rr = (7.25) ΔIr - Dòng vào tĩnh, điện áp vào lệch không : Dòng vào tĩnh trung bình It là: Ip + IN It = với UN = Up = 0 (7.27) 2 Dòng vào lệch không là I0: I0 = Ip - IN khi UN = Up = 0 (7.28) Thông thường I0 = 0,1 It . Dòng vào lệch không là dòng phụ thuộc vào nhiệt độ. Nhiệt độ thay đổi làm trôi dòng lệch không. Trong KĐTT thực tế thì khi UN = Up = 0 vẫn có Ur ≠ 0. Lúc này Ur ≠ 0 là do điện áp lệch không ở đầu vào gây nên. Vì vậy người ta định nghĩa điện áp lệch không U0 là hiệu điện áp cần phải đặt giữa hai đầu vào để có điện áp ra bằng không U0 = Up - UN khi Ur = 0 (7.29) 7.2. 3. Các sơ đồ mắc cơ bản của KĐTT Khi sử dụng KĐTT trong các mạch điện người ta thường sử dụng hồi tiếp âm mà không dùng hồi tiếp dương vì hồi tiếp dương làm cho khuếch đại làm việc ở chế độ bão hòa. Trong một số trường hợp có thể dùng cả hồi tiếp âm và hồi tiếp dương với hồi tiếp dương luôn nhỏ hơn hồi tiếp âm. Về đầu vào , có thể sử dụng một hoặc cả hai đầu vào . 7.2.3.1. Các sơ đồ khuếch đại đảo + Sơ đồ biến đổi điện áp - điện áp GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
11. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm RN RN VS+ V S+ R1 IN R1 IN - - N UR N UV + U UV R + UR P R2 R3 P VS- VS- a) b) Hình 7.9: Khuếch đại thuật toán mắc đảo Mạch mắc như hình 7.9a.Vì K0 →∞ nên điện áp ở đầu vào N là UN ≈ Uh ≈ 0 , điểm N có thể coi là điểm đất giả Ur ≈ URN ,Uv ≈ UR1. Định luật Kiếc-khốp 1 viết cho nút N là : UUvra +≈0vì dòng IN = 0 (do trở kháng vào rất lớn rh→∞).Từ đó ta có : RR1N RRNN Ur=- Uv hay K =− RR11 (7.30) R N Từ (7.30) ta thấy điện áp Uv được biến đổi thành Ur =- UV ; hệ số khuếch R1 R N đại K =− ; điện áp ra ngược pha so với điện áp vào. Điện trở RN gây hồi tiếp âm R1 R N song song theo điện áp làm cho hệ số khuếch đại từ K0 giảm xuống còn là R1 Uv Uv Trở kháng vào : Rv= = =R1 (7.31) Iv Uv / R1 UV Nhược điểm của sơ đồ hình 7.8a là có ZV = = R1 nhỏ. Để khắc phục IV nhược điểm này ta mắc mạch như hình 7.8b. UUV3 Với nút N có phương trình: =− . (7.32) RR1N Ur Nếu chọn RN >> R3 thì U3 ≈ .R 3 nên: RR23+ RRN2+ R 3 R N R 2 UUrV=− . hayUU(1) rV =− + (7.33) RR13 R 1 R 3 R R Vậy K(1)=−N + 2 (7.34) RR13 Theo (7.38) muốn có hệ số khuếch đại K lớn thì phải chọn R1 nhỏ. Nếu chọn R1 = R2 thì: R R K = ( N + N ) ( 7.35) R1 R 3 GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
12. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm RN VS+ IN - N IV + UR P VS- Hình 7.10: Sơ đồ biến đổi dòng điện thành điện áp Để tăng trở kháng ZV = R1 có thể chọn R1 lớn tuỳ ý, khi đó hệ số khuếch đại sẽ R được xác định bởi N . R 3 + Sơ đồ biến đổi dòng điện - điện áp hình 7.10 Sơ đồ này biến đổi dòng điện đầu vào thành điện áp đầu ra tỷ lệ với nó.Tương tự như trên vì K0 = ∞; UN ≈ UP ≈ 0, rh → ∞ nên dòng IN = 0 nên định luật Kiêc-khốp I viết cho nút N sẽ là: Ur IV =− hay URIrNV=− (7.32) R N 7.2.3.2 Các sơ đồ khuếch đại không đảo. + Xét sơ đồ mạch thông dụng điện áp - điện áp hình 7.11a. Với K0 →∞, rh →∞nên Uh = 0 nghĩa là UN = UV và dòng vào bằng không. Ur Do vậy: UN = RU1 = V RR1 + N Từ đó có: U RR+ R K ==r 1 NN=+1 (7.33) UV R11R ZV = Rd = ∞. RN VS+ R1 - N + P UR UV VS- a) b) c) Hình 7.11: a) Sơ đồ khuếch đại thuật toán mắc không đảo b, c) Sơ đồ khuếch đại thuật toán mạch lặp lại Các mạch hình 7.11b,c là các mạch khuếch đại lặp (điện áp): vì Ud = 0 nên UN=UP, vì IN = 0 , dòng qua RN bằng 0 và thế điểm ra bằng thế điểm N nên: GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
13. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm U K = r =1 . UV 7.2.3.3. Các mạch bù trôi và đặc tính tần số trong KĐTT. a. Các mạch bù trôi. Khi dùng KĐTT để khuếch đại tín hiệu một chiều nhỏ ,các sai số chủ yếu sẽ do dòng điện tĩnh, điện áp lệch không và hiện tượng trôi gây ra. Các dòng điện đầu vào IN và IP ở đầu vào của KĐTT chính là các dòng base tĩnh của KĐVS ở đầu vào. Dòng tĩnh IN và IP xấp xỉ bằng nhau, gây nên sụt áp ở các đầu vào. RN VS+ R1 - N UV + UR P R2 VS- Hình 7.12: Do trở kháng đầu vào N và P không đồng nhất nên các sụt áp này cũng không bằng nhau. Hiệu điện thế ở đầu N và đầu P chính là điện áp lệch không. Để cho điện áp lệch không nhỏ người ta không đấu đầu P ( không đảo) trực tiếp xuống đất mà đấu qua điện trở R2 như hình 7.12. Điện trở RP có trị số bằng điện trở của vào đảo N: R.R1N R P = (7.36) RR1N+ a) b) c) Hình 7.13: Lúc đó áp một chiều trên đầu vào N và P là IN .( R1 // RN) và IP .(R1 // RN); IP = IN nên hai điện áp này xấp xỉ nhau. Tuy nhiên do dòng IN ≠ IP nên I0 = IP - IN sẽ gây nên một điện áp lệch không ở đầu vào là U0 = ( IP - IN) (R1 // RP). Điện áp này sẽ gây nên một điện áp lệch không ở đầu ra: R U = (1+ N )U (7.37) o r 0 R1 GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
14. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Để triệt điện áp lệch không ở đầu ra UR người ta mắc nguồn có hai cực tính như ở hình 7.13. ở hình 7.13 a,b chỉnh triết áp P về phía nguồn + hoặc - tuỳ theo cực tính của U0 = UP - UN là âm hoặc dương. Trường hợp cần sử dụng cả hai cửa vào thì mạch bù được mắc ở cửa khác có liên hệ với cửa vào như ở hình 7.13c. Trong các sơ đồ trên phải chọn R3>>R2 để mạch bù không ảnh hưởng đến hoạt động bình thường của mạch. Thực tế R2 cỡ vài KΩ, R3 cỡ vài trăm KΩ. b. Mạch bù đặc tính tần số . Hình 7.14: Các dạng mạch bù thông dụng Trong KĐTT các tầng được ghép trực tiếp nên các điện trở cùng với các điện dung ký sinh sẽ tạo thành các đốt lọc thông thấp RC. Truyền qua mỗi đốt như vậy thì điện áp tín hiệu sẽ bị quay pha đi một lượng nhất định Δϕ . ở một tần số nào đó thì lượng quay pha từ đầu vào đến đầu ra của KĐTT có thể là π, nghĩa là vai trò của các cửa sẽ đổi chỗ cho nhau, cửa vào đảo thành cửa và không đảo và ngược lại. Như vậy hồi tiếp âm ở tần số nà y sẽ trở thành hồi tiếp dương.Nếu thoả mãn cả điều kiện cân bằng biên độ và điều kiện cân bằng pha thì KĐTT sẽ bị tự kích. Muốn KĐTT không bị tự kích người ta thường phá vỡ điều kiện cân bằng pha bằng cách mắc mạch RC, gọi là mạch bù pha, vào giữa các tầng. Các mạch bù pha thường dùng có dạng như ở hình 7.14. Trị số các linh kiện mạch 7.14 và cách mắc chúng vào chân các IC KĐTT cho trong các sổ tay của IC tuyến tính. 7.3 Một số mạch tính toán và điều khiển tuyến tính trên KĐTT. KĐTT được sử dụng như một mạch đa chức năng. Thay đổi các linh kiện trong mạch hồi tiếp có thể thực hiện được nhiều phép tính toán và điều khiển nhờ KĐTT. Xét một số mạch đơn giản. 7.3.1. Mạch cộng và mạch trừ. a. Mạch cộng đảo Hình 7.15: Mạch cộng đảo Mạch hình 7.15 được thực hiện cộng và đảo pha các điện áp đầu vào. Vì K0 → ∞ nên điểm N là đất ảo và GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
15. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm UUUUNV1V2Vn IN ==−+ ( + ) RRRRN12n Từ đó ta có: R N UV1 R NUV2 R N UVn Ur = −( + + ) R1 R 2 R n = −(α1UV1 + α2UV2 + αn UVn ) n Hay Ur = − Σ αiUVi (7.38) i=1 R N Trong đó αi = . R i Hình 7.16: Mạch trừ 2 điện áp b. Mạch trừ Xét mạch trừ hai điện áp vào trên hình 7.16. Cũng lý luận gần đúng tương tự UUU− như trên U.R;UUU.RU==+=+V2 v1 r PpNRraNrN RR2p++ RR 1N Nhưng Up ≈ UN (Vì Uh= 0) nên : UUUUv2 V1− r V1 UR r N .RpNrNr=+=+−= .R U .R U RR2p++ RR 1N RR 1N + RR 1N + URUV1 N V1 R1 .RNr+− U (1 ) = .R Nr + U ; RR1N++++ RR 1N RR 1N RR 1N UURRv2 V1 1+ N Hay UrpN=− ( .R .R ) RR2p++ RR 1N R 1 R N R P Đặt α=NP; α= thì RR12 αpV2U α+αNV1U1 N U(ra=− )(1) +α=α−α N p U V2 N U V1 (7.39) 11+αPN +α 1 +α P Chọn αN=αP=α thì Ur = α(Uv2 - Uv1) (7.40) 7.3. 2. Mạch cho phép chọn điện áp ra có cực tính thay đổi . Xét mạch hình 7.17.Mạch chọn R1=RN Uv Up = .Rα=αpv U ; R p Ur− Uv Ur+ Uv UN = Uv+ = 2 2 GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
16. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Ur+ Uv Vì Up = UN nên αUV = 2 Ur = (2α - 1)Uv (7.41) Theo 7.41 thì khi α = 0,5 , Ur = 0 ; khi α > 0,5 , Ur cùng dấu với UV ; khi α < 0,5 , Ur khác dấu với UV . Hệ số α: 0 ≤ α ≤ 1. RN VS+ R1 IN - N UV αR P P + UR P VS- Hình 7.17: Mạch cho điện áp ra có thể thay đổi cực tính 7.3.3. Mạch biến đổi trở kháng. a) Mạch tạo điện trở âm (NIC) RP VS+ I1 IP + P U IN - UR N V I2 S- RN UN R Hình 7.18: Mạch NIC Nếu dùng cả hồi tiếp dương và hồi tiếp âm như mạch hình 7.18 sẽ tạo được điện trở vào có trị số âm . Thật vậy : Theo tính chất của KĐTT thì IN và Ip ≈ 0 ,UN = Up nên từ hình 7.18 UUpr− I1 = ; UIRUP1pr=+ R p UUrN− I2 = ; UUIRNr2N=− R N Vì Up = UN nên I1RP=-I2RN hay IR2N I1= - (7.42) R p Theo 7.42 thì nếu UP có cực tính dương thì dòng I2 sẽ là dương và dòng I1 sẽ là âm, điện trở đầu vào RV = UP/I1 sẽ là âm. GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
17. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm b) Girato : U1 U I= 2 2 I=1 M R RM a) b) U3 U4 VS+ VS- VS+ VS- RM RM RM RM - - + + P1 N1 P2 N2 I 1 2 I RM RM U2 U1 c) Hình 7.19: a) Ký hiệu girato; b) Sơ đồ tương đương girato; c) Girato trên NIC Girato tạo ra phần tử điện cảm L từ các phần tử tích cực, thường dùng ngày nay là KĐTT. Girato có ký hiệu như hhình 7.19a. Hệ phương trình truyền đạt của gi rato phải thoả mãn: ⎧ U2 ⎪I1 = ⎪ R M ⎨ (7.43) U ⎪I = 1 ⎪ 2 ⎩ R M RM -tham số biến đổi . Từ hệ phương trình (7.43) có sơ đồ tương đương của girato như hình 7.19b. Girato được xây dựng trên NIC có dạng như ở hình 7.19c.Lập các phương trình cho các nút P1, N1, P2 và N2 sẽ có : UU32− U2 UU32− UU21− I2 + −=0 ; − = 0 RRMM RRMM UUUU21−− 41 UU42− U 1 +−=I01 ; − = 0 RRMM RRMM Loại U3, U4 ra khỏi hệ trên sẽ nhận được U 2 U1 I1 = ; I2 = RM RM Bây giờ mắc tải Rt cho Girato vào đầu 1 như hình 7.20, tìm trở kháng vào đầu 1 là ZV2: U1 = I1Rt; GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
18. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm U1 IR1t UR 2t I2 = ==2 ; RRMM R M 2 UR2M ZV2 = = (7.44) IR2t Hình 7.20: Girato mắc tải Nếu mắc tải Rt vào đầu 2-2 thì : U2 U2 IR2t UR 1t I2 = - ; I1 = = - =− 2 và R t RM RRMM 2 UR1M ZV1 = - = (7.45) IR1t R 2 Như vậy mắc vào 1-1 hoặc 2-2 thì trở kháng vào đầu kia sẽ là M . Rt Giả sử ta mắc tại tụ C vào thì trở kháng vào đầu kia là : 2 R M 2 ZV = =ωjCR Zt M 2 Giarato cho một điện cảm tương đương L = C RM .Ví dụ RM = 100kΩ , C=1μF , thì L = (105)2 . 10-6 = 104 H. Đó là một điện cảm có trị số lớn tạo từ hai KĐTT, 6 điện trở và một tụ điện (Hình 7.19c).Nếu mắc song song với girato một tụ điện sẽ được một khung cộng hưởng song song không có tổn hao, tức là có hệ số phẩm chất rất lớn. 7.3.4. Mạch vi phân và mạch tích phân. a. Mạch tích phân . C VS+ R - N UV + UR P VS- Hình 7.21: Mạch tích phân Mạch điện hình 7.21 là một mạch tích phân thông thường vì: 11 UU≈= idt ≈− Udt rCCRC∫∫ C V GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
19. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Chuyển sang tích phân xác định: 1 t Ur = − ∫ UVdt + Ur (0 ) (7.46) RC 0 Mạch phân tích tổng: Mạch điện hình 7.22 thực hiện phân tích tổng: 1 UU U U=− (12 + + n )dt ( 7.47) r ∫ CR12 R R n + Mạch tích phân hiệu: Hình 7.22b. Phương trình dòng điện viết cho điểm nút N và nút P là: UU−− d(UU) 1N+ C0 rN= RdtN 1 UUVP− dUP +=C0P Rdt2 Cho UN = UP , CNR1 = CPR2 = RC sẽ được: 1 U(UU)dt=− (7.48) r21RC ∫ R1 UV1 CN R2 UV2 C VS+ VS+ R1 UV1 - Rn N UVn - R2 N UV2 + UR P + UR P CP VS- VS- a) b) Hình 7.22: a)Mạch tích phân tổng; b) Mạch tích phân hiệu b. Mạch vi phân Mạch hình 7.23a là một mạch vi phân thông thường cho: dU UU== RIRC =− V (7.49) rRNNNNdt Nếu UV = UVmsinωt thì Ur = - RNC ωUVm cosωt Urm Như vậy hệ số khuếch đại KRC==ωN phụ thuộc vào tần số. Vì vậy UVm 1 tạp âm ở tần số cao lớn, trở kháng ZV ≈ sẽ giảm đi khi tần số tăng. jCω Để có mạch vi phân tốt hơn dùng mạch hình 7.23b. Mắc thêm đốt R1C1 thì 1 tác dụng vi phân chỉ thực hiện ở tần số ω ω0 hệ số khuếch đại sẽ giảm tần số khi tần số tăng (Hình 7.23c) GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
20. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm RN RN CN VS+ VS+ C R1 C1 - - N N UV UV + UR + UR P P VS- VS- a) b) logK ω ω0 ω ω0 c) Hình 7.23: Mạch vi phân 7.3.5. Mạch so sánh tương tự. Mạch so sánh có nhiệm vụ so sánh một điện áp vào UV với một điện áp chuẩn UCh.Trong mạch so sánh, tín hiệu vào tương tự sẽ được biến thành tín hiệu ra dưới dạng mã nhị phân, nghĩa là sẽ có mức ra là thấp (L) hoặc cao(H). Bộ so sánh thực hiện trên khuếch đại thuật toán làm việc ở chế độ bão hòa nên các ra thấp và cao chính là các mức dương và âm của nguồn. (ở những bộ so sánh chuyên dụng thì hai mức này ứng với các mức logic). a. Ðiện thế ngõ ra bão hòa. Ta xem mạch hình 7.24 Hình 7.24: Mạch ngõ ra bão hòa. Ed là điện thế khác nhau giữa 2 ngõ vào và được định nghĩa : Ed = (điện thế ngõ vào dương (+) – điện thế ngõ vào âm (-)). Do mạch không có hồi tiếp âm nên: VOut=A(V1-V2) = A.Ed ; Với Ed=(V1-V2). Trong đó A là độ lợi vòng hở của op-amp. Vì A rất lớn nên theo công thức trên VOut rất GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
21. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm lớn. Khi Ed nhỏ, VOut được xác định. Khi Ed vượt quá một trị số nào đó thì VOut đạt đến trị số bão hòa và được gọi là VSat. Trị số của Ed tùy thuộc vào mỗi op-amp và có trị số vào khoảng vài chục μV. - Khi Ed âm, mạch đảo pha nên VOut =-VSat - Khi Ed dương, tức V1>V2 thì VOut =+VSat. Ðiện thế ngõ ra bão hòa thường nhỏ hơn điện thế nguồn từ 1 volt đến 2 volt. Ðể ý là |+VSat| có thể khác |-VSat|. Như vậy ta thấy điện thế Ed tối đa là: +VSat +=EdMax A −V −=E Sat dMax A b. Mạch so sánh mức 0: (tách mức zéro) * So sánh mức zéro không đảo VS+ V =0 ref N - VOut Ei P + RL VS- Hình 7.25: Mạch so sánh mức zéro. Điện thế ngõ vào (-) được dùng làm điện thế chuẩn và Ei là điện thế muốn đem so sánh với điện thế chuẩn, Ei được đưa vào ngõ vào (+). Khi Ei> Vref =0 thì Vout=+Vsat. Khi Ei Vref =0 thì Vout=-Vsat. GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
22. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Khi Ei 0V đặt ở ngõ vào (-). Điện thế so sánh Ei đưa ngõ vào (+). Khi Ei>Vref thì VOut=+Vsat. Khi Ei 0V đặt ở ngõ vào (+). Điện thế so sánh Ei đưa ngõ vào (-). Khi Ei>Vref thì VOut=-Vsat. Khi Ei<Vref thì VOut=+Vsat. GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
23. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Hình 7.30: Mạch và dạng sóng mức dương đảo * So sánh mức âm đảo và không đảo: - So sánh mức âm không đảo: Điện thế chuẩn Vref Vref thì VOut=+Vsat. Khi Ei Vref thì VOut=-Vsat. Khi Ei<Vref thì VOut=+Vsat. Hình 7.32: Mạch và dạng sóng mức dương đảo GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
24. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm Bài tập chương 7 1. Khái quát sơ đồ nguyên lý khuếch đại vi sai sử dụng transistor lưỡng cực 2. Trình bày sơ đồ, cấu tạo và các thông số của khuếch đại thuật toán 3. Trình bày sơ đồ mạch khuếch đại đảo, nêu các thông số của mạch và các ứng dụng cụ thể của mạch 4. Trình bày sơ đồ mạch khuếch đại không đảo, nêu các thông số của mạch và các ứng dụng cụ thể của mạch 5. Trình bày sơ đồ mạch bù trôi và nêu, thông số của mạch và các ứng dụng cụ thể của mạch 6. Trình bày mạch cộng và trừ tín hiệu điện tương tự sử dụng Op-Amp và các ứng dụng cụ thể của mạch 7. Trình bày mạch cho phép chọn điện áp ra có cực tính thay đổi 8. Trình bày mạch biến đổi trở kháng và các ứng dụng cụ thể của mạch 9. Trình bày mạch vi phân và mạch tích phân, các thông số của nó và các ứng dụng cụ thể của mạch 10. Trình bày mạch so sánh tín hiệu tương tự sử dụng Op-Amp và các ứng dụng cụ thể của mạch 11. Xác định UOut trong mạch theo Uv1 và UV2 12. Xác định UOut trong mạch theo Uv1 và UV2 RN RN VS+ R1 VS+ - R3 UV1 N - N + R2 P + UOut P VS- UV2 13. Xác định IN và Uout trong mạch.Thay RN=5kΩ, tính lại IN. Mạch trên là mạch gì? GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
25. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm 14. Xác định Vout trong mạch theo R1, R2, R3 và Rgain. Mạch trên là mạch gì? 15. Thiết kế mạch khuếch đại tín hiệu cảm biến nhiệt PT100 16. Thiết kế mạch khuếch đại tín hiệu cảm biến Loadcell 17. Thiết kế mạch điều khiển nhiệt độ sử dụng IC Op-Amp. GV: ThS. Nguyễn Bá Vương
26. Giáo trình: Điện tử cơ bản ĐH Nông Lâm GV: ThS. Nguyễn Bá Vương