Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma

Nội dung text: Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma

1. Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma Phạm Đình Khang1*, Đinh Tiến Hùng2, Đinh Kim Chiến2, Cao Văn Hiệp2, Nguyễn Xuân Hải3, Nguyễn Ngọc Anh3 1Trường Đại học Bách khoa Hà Nội 2Viện Hóa học và Môi trường Quân sự 3Viện Nghiên cứu Hạt nhân Đà Lạt, Viện Năng lượng Nguyên tử Việt Nam Ngày nhận bài 1/10/2020; ngày chuyển phản biện 5/10/2020; ngày nhận phản biện 2/11/2020; ngày chấp nhận đăng 18/11/2020 Tóm tắt: Đầu đo nhấp nháy là loại đầu đo có hiệu suất ghi cao, sử dụng đơn giản, giải quyết tốt được mục tiêu của nhiều nghiên cứu, ứng dụng và đào tạo. Vì thế việc nội địa hóa quá trình chế tạo đầu đo sẽ mang lại nhiều ích lợi. Việc sử dụng quang đi ốt thác lũ thay cho ống nhân quang điện (PMT) cho phép tiết kiệm năng lượng, rút gọn thể tích đầu đo và loại bỏ khối cao áp công suất lớn. Tổ hợp chất nhấp nháy CsI(Tl), quang đi ốt thác lũ, tiền khuếch đại nhạy điện tích, hệ thống khuếch đại dải rộng và hệ nguồn nuôi đã được tích hợp trong đầu đo. Bài nghiên cứu này đưa ra một số kết quả mới trong việc chế tạo thử nghiệm đầu đo nhấp nháy sử dụng quang đi ốt thác lũ. Các đầu đo này có thể được sử dụng trong các trạm quan trắc môi trường, các hệ trinh sát bức xạ, các bệnh viện và các phòng thí nghiệm hạt nhân của các trường đại học phục vụ đào tạo và huấn luyện sinh viên Từ khóa: detector nhấp nháy, hệ khuếch đại, quang đi ốt thác lũ, tiền khuếch đại nhạy điện tích. Chỉ số phân loại: 2.3 Mở đầu Các hệ trinh sát bức xạ cầm tay và các hệ lắp trên xe chỉ huy tác chiến của quân đội rất cần có các đầu đo nhấp nháy ghi đo gamma gọn nhẹ, có hiệu suất ghi cao, bền với môi trường và tiết kiệm năng lượng. Trong nhiều trường hợp, các đầu đo nhấp nháy sử dụng ống nhân quang điện (PMT) đã không được sử dụng do đòi hỏi có khối cao áp công suất lớn, chất lượng cao và kích thước hệ đo dùng ống PMT lớn. Với sự phát triển của công nghệ vật liệu bán dẫn, việc sử dụng quang đi ốt thác lũ thay thế cho PMT trong đầu đo nhấp nháy ghi đo gamma là một giải pháp tốt nhằm để có các hệ đo. Xuất phát từ hướng đi đó, công việc chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối với quang đi ốt đã được triển khai với sự hợp tác của các cán bộ khoa học Hình 1. Hiệu suất lượng tử của quang đi ốt thác lũ S8664-55 [5]. của Trường Đại học Bách khoa Hà Nội; Viện Hóa học và Môi trường Quân sự và Viện Nghiên cứu Hạt nhân thuộc Viện Năng đi ốt. Có nhiều loại quang đi ốt, nhưng để ghép với tinh thể lượng Nguyên tử Việt Nam. nhấp nháy thì chỉ có một số loại có tốc độ nhanh để hình thành những xung điện cỡ µs, điện dung thấp, dòng dò nhỏ và ít thay Thực nghiệm đổi theo nhiệt độ là phù hợp, ví dụ như các loại quang đi ốt Ghép tinh thể nhấp nháy và quang đi ốt thác lũ S3590, S8664, S3204 [5]. Các quang đi ốt thương mại dùng 2 Trên thế giới đã có một số nghiên cứu thay thế ống PMT trong đầu đo nhấp nháy có hình vuông với tiết diện cỡ cm , vì và thử nghiệm với một số loại nhấp nháy mới mà tiêu biểu là vậy các tinh thể nhấp nháy cũng được chọn lựa có kích thước ở các công bố [1-4]. Tinh thể nhấp nháy CsI(Tl) là một trong và hình dạng tương đương. Trong thực nghiệm của bài báo này, số cácloại nhấp nháy phù hợp với việc sử dụng hệ biến đổi nhóm nghiên cứu đã sử dụng tinh thể CsI(Tl) kích thước 1x1x3 quang điện - các quang đi ốt thác lũ được chế tạo từ Si [4]. Cụ cm ghép với quang đi ốt S8664-55 với kích thước 5x5 mm. thể, dải bước sóng các photon được CsI(Tl) phát ra nhiều nhất S8664-55 thuộc loại quang đi ốt thác lũ, có hiệu suất lượng chủ yếu nằm ở vùng có hiệu suất lượng tử cao nhất của quang tử phụ thuộc bước sóng ánh sáng tới (hình 1). Các photon do * Tác giả liên hệ: Email: phamkhang@fpt.vn 63(3) 3.2021 46
2. Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ Hệ thống nguồn nuôi và mạch điện Designing and setting up the scintillation Hệ thống nguồn nuôi, mạch điện trong đầu đo được thể detector using CsI(Tl) crystals hiện ở hình 2. Các điện áp cung cấp cho quang đi ốt, mạch tiền khuếch đại và khối khuếch đại sơ bộ được tạo ra từ các mạch tạo and avalanche photodiode điện áp và ổn định độc lập để tránh ảnh hưởng lẫn nhau. Điện for gamma-ray measurement áp cung cấp cho các mạch biến đổi điện áp nêu trên là ±12 V. Dinh Khang Pham1*, Tien Hung Dinh2, Kim Chien Dinh2, Van Hiep Cao2, Xuan Hai Nguyen3, Ngoc Anh Nguyen3 1Hanoi University of Science and Technology 2Military Institute of Chemical and Environmental Engineering 3Dalat Nuclear Research Institute, Vietnam Atomic Energy Institute Received 1 October 2020; accepted 18 November 2020 Abstract: Localization of the scintillation detectors manufacturing Hình 2. Sơ đồ khối của đầu đo. process has many benefits because of the high detection Điện áp +5 V được tạo nên từ +12 V bằng LM7805. Nguồn efficiency of the detectors, user-friendly, and consistent 5 V cung cấp năng lượng để tạo nên điện áp 380 V nhờ linh with general research objectives. Using a photodiode kiện tổ hợp C10940-53 do Hãng Hamamatsu sản xuất. Điện trở instead of a photomultiplier tube (PMT) allows saving bias nối với quang đi ốt có giá trị 200 MΩ - như vậy công suất energy, shortening the detector volume, and removing tiêu thụ của mạch chỉ vào khoảng 2 mW, dòng tiêu thụ nhỏ hơn high voltage power supply and amplifier. The combination 10 nA. Tiền khuếch đại được sử dụng là CR110-R2 của Hãng of CsI(Tl) scintillator, avalanche photodiode, charge Cremat. Tiền khuếch đại được ghép với quang đi ốt thác lũ theo sensitive preamplifier, wide range amplifier, and power kiểu ghép AC để đảm bảo tốc độ đếm xung cao [6] và loại trừ supply system has been integrated into the detector. This ảnh hưởng của dòng dò. Khối khuếch đại sơ bộ là hệ khuếch study presents new results in manufacturing a home- đại dải rộng để bảo toàn dạng xung và quy chuẩn tín hiệu ra từ made scintillation detector using avalanche photodiode. đầu đo đạt biên độ 200 mV khi tia gamma có năng lượng 662 The detectors of this type can be used in hospitals, in keV bị hấp thụ hoàn toàn ở nhấp nháy CsI(Tl). Hệ thống quy the nuclear laboratory of universities for the students chuẩn này là cần thiết nhằm ghép nối đầu đo với các hệ phân training, etc. tích biên độ xung sử dụng kỹ thuật xử lý số. ADC lấy mẫu trong Keywords: amplifier module (system), avalanche hệ xử lý số có dải biên độ 0÷1 V tương ứng dải đo 0÷3 MeV. photodiode, charge sensitive preamplifier, scintillation Toàn bộ hệ nhấp nháy, quang đi ốt thác lũ và hệ điện tử detector. được đặt trong vỏ nhôm, nhằm chống nhiễu điện từ tác động Classification number: 2.3 đến dạng và biên độ xung ra (hình 3). Đầu đo được chế tạo với hai ngăn, ngăn thứ nhất gồm tinh thể nhấp nháy, quang đi ốt thác lũ và mạch gắn tiền khuếch đại; ngăn thứ 2 chứa hệ nguồn nuôi, tạo cao áp và hệ khuếch đại sơ bộ - kiểu thiết kế này cho phép giảm ảnh hưởng của hệ thống điện tử tới mạch tiền khuếch đại. Để tăng độ bền và độ cách điện, vỏ đầu đo được CsI(Tl) phát ra có bước sóng chủ yếu nằm ở dải 430 đến 730 anot hóa, cách xử lý như vậy cho phép vỏ đầu đo chịu được hóa nm và trùng với vùng hiệu suất lượng tử đạt giá trị trên 70% chất, nước biển mà không tổn hao hay có dấu hiệu hỏng hóc, của S8664-55. suy giảm chất lượng. Có nhiều loại keo dẫn quang để ghép tinh thể nhấp nháy với quang đi ốt. Để vừa dẫn quang tốt, vừa gắn chặt quang đi ốt với tinh thể nhấp nháy, nhóm nghiên cứu đã sử dụng loại keo dẫn quang OE-6662 gồm 2 thành phần chất dẫn quang và chất hóa rắn, trộn theo tỷ lệ 10:1. Sau khi ghép xong, đặt cụm tinh thể quang đi ốt thác lũ vào buồng ấm, sấy trong 24 giờ để keo dẫn quang hóa rắn. Cụm tinh thể nhấp nháy - quang đi ốt thác lũ được đặt gần sát tiền khuếch đại để giảm điện dung ký sinh trên mạch vào của tiền khuếch đại. Hình 3. Hình ảnh đầu đo được chế tạo. 63(3) 3.2021 47
3. Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ Các đặc trưng của đầu đo mất photon do CsI(Tl) phát ra khi lượng tử gamma tương tác Hệ thống thực nghiệm xác định các đặc trưng của đầu đo với nhấp nháy; tiền khuếch đại IH 142 ORTEC có hệ số khuếch được đưa ra ở hình 4. đại vòng hở ≥40000 lần [8], còn của CR-110 chỉ là 3000 lần. Sự khác biệt về hệ số khuếch đại này dẫn đến tiếng ồn ENC của tiền khuếch đại ORTEC nhỏ hơn nên độ phân giải của hệ tốt hơn. Tuy nhiên, sự gọn nhẹ của CR-110 lại dẫn đến khả năng sử dụng chế tạo đầu đo gamma cao hơn và trong thực tế, kết quả của công bố này là với đầu đo nhấp nháy sử dụng quang đi ốt thác lũ thay cho ống PMT đã chế tạo được. Độ phân giải năng lượng của đầu đo hiện tại tương đương như của đầu đo nhấp nháy gắn ống PMT. Những ghép nối các khối như trong [7] để tổ hợp thành một đầu đo bức xạ còn cần có một giai đoạn khá dài để tối ưu các vấn đề vật lý, điện tử Hình 4. Sơ đồ thực nghiệm xác định các đặc trưng của đầu đo. Dạng xung ở lối ra: sử dụng dao động ký Gwinstek model GDS-3352 để thu dạng xung lối ra của đầu đo (kênh CH1). µ Tiền khuếch đại CR110-R2 có hằng số thời gian Cf.Rf =140 s, với Cf và Rf là điện dung của tụ phản hồi và điện trở phản hồi của tiền khuếch đại. Mặt tăng của xung ra bằng [6] trong trường hợp xung điện tích đi vào tiền khuếch đại có mặt tăng cỡ vài chục ns. Trong trường hợp ghép với tinh thể CsI(Tl), thời hằng của chớp sáng là cỡ 1 µs và phải hết khoảng 5 lần thời hằng thì mới có thể coi là toàn bộ các điện tích do các photon tạo ra Hình 6. Phổ 137Cs (A) và phổ 60Co (B). được nạp lên tụ Cf. Vì vậy, mặt tăng xung ra của đầu đo vào khoảng 5 µs, còn mặt giảm có thời hằng cỡ 140 µs như ở hình 5. Hiệu suất ghi nội toàn phần và hiệu suất ghi nội quang điện:HiHiệ uviệc ệsuu ấđosut ấđạcgthi g thực hinộ ninghiệm ộtoàni toàn phhiệu phầ nsuấtầ vàn ghi vàhi đượcệhiu ệsuu thực ấsut ấhiệngth gi hniộ ni ộquani quang đig ệđin:ệ n:vi ệvci ệđco đ đoạ cđ ạthc ựthcự c ngnhigệhimtheoệ mhi ệhệhiu ệthốngsuu ấsut thựcấgth gi hnghiệmđưi đượcợ th(hìnhc ựthcự 4)hic ệvớihin ệ theonbộ theonguồn hệ h thchuẩnệ ốthngố dong th ựthcự ncg nhigệhimệ m(hình (hình 4) 4v)ớ vi ớbiộ b nộgu nguồnồ n chuẩIAEAn do cung IAE cấp,A cu khoảngng c ấcáchp, kho nguồnản g- đầucách đo nlàg 20uồ ncm - vàđầ cóu đo là 20 cm và có so sánh với kết quả chuẩn sodo sánh IA EvớiA kếtcu quảng ctínhấp ,toán kho môản phỏngg cách hiệu n gsuấtuồ nghi - theođầu các đo là 20 cm và có so sánh với kết quả tínhtính toán thôngtoán m số ôm phthiếtô phỏ nkếỏg ncủa hgi ệhđầuui ệsu uđo. ấsu tHiệu ấgthi g suất hitheo theoghi các nội các toànth ôth nphầnôgn sg ốđược sthiố thiết ếktế kcếủ acủ đaầ uđầ đo.u đo. Hi Hiệu ệsuu ấsut ấgthi g hinộ ni ội toàntoàn phxác phần địnhầ đn ư bằngđợưcợ xácctỷ xácsố đxung ịnhđị nh ghibằ nhậnnbằgn tgđượcỷ tsỷố và sxuố số xu nlượnggn ghig tửghi tớinh nhbềận ậ đn ưđợưcợ vcà vsàố slưố ợlưnợgn tgử tửtớ it ớbiề b mề ặmt ặt detectordetectormặt theo detector theo côn côntheog thg công ứthcứ 1thứcc [19 ]:1[ 9 [9]:]: Nc Nc (1) ins-pεins-p= = (1) ε Nd (1) Nd trontrong đóg đó là làhi ệhiu ệsuu ấsut ấgthi g hinộ ni ộtoàni toàn ph phần,ầ n, là làsố sxốun xung gghi g hinh nhậnậ đưn đượcợ, c, là làsố slưố ợlưnợgn g trong đó ε là hiệu suất ghi nội toàn phần, N là số xung ghi tử tgửa gmammam đia điđinsế nđ ếbnề bmề ặmt ặđtầ uđầ đo.u đo. c nhận được, Nd là số lượng tử gamma đi đến bề mặt đầu đo. Hình 5. Dạng xung ra của đầu đo (sau khối khuếch đại sơ bộ). ệ ấ ộ quang điện được xác đị ằ ỷ ố ậ ại đỉ HiHiệuHiệu su usuất ấsut ghi gthi nộig hin quangộ ni quai điệnn đượcg điệ xácn đưđịnhợ cbằng xác tỷ sốđị xungnhn b hằ nbgn tgỷ tsố sxu xungn ghi g hinh nhận tnạ i tđỉnhn h Độ phân giải năng lượng: phổ tia gamma thu được thể nănhiệnnăn g lưgghiợ lư nnhậnợgn hg ấtại ph ấđỉnhthp ụth năngtoànụ toàn lượng ph phầ nhấp ầvn àthụ vsàố toàn slốư ợphầnlưnợgn tvàgử sốtgử a lượnggmamm atửm đia đitới tớbiề bmề ặmt ặđtầ uđầ đou đo theo theo cô côngn thgứ cthứ c ở hình 6A và 6B, đo với nguồn 137Cs và 60Co. Các giá trị2 độ[4]:2 [4]: gamma đi tới bề mặt đầu đo theo công thức 2 [4]: phân giải năng lượng với các đỉnh 661,7; 1173,2 và 1332,5 keV Nphotopeak =Nphotopeak tương ứng là 9,81; 6,81 và 6,08%. Việc so sánh với các kết quả εins-pεins-p= (2) (2) (2) N Nd của Martín Gascón [7] (tinh thể CsI(Tl) 1x1x1 cm3 bọc teflon d + lá nhôm; quang đi ốt S8664-1010; tiền khuếch đại IHtron 142tron g đó,g đó, là làhi ệhiu ệsuu ấsut ấgthi g hinộ ni ộquani quang đigệ đin,ệ n, là làdi ệdinệ tíchn tích đỉ nđhỉn nănh năng lưgợ lưngợng trong đó, εins-p là hiệu suất ghi nội quang điện, Nphotopeak là diện ORTEC) cho thấy độ phân giải năng lượng ở [7] là 4,42%, ấtốthấ p ụthụ toàn phầ ầ n, làố slưố ợlượngử tgửa gmmaamma đi đitớ tớiề bề ặmt ặđtầ uđầ đou đo. K.ế K ết quả đưả đượ ợc ểthể ệhiện h p thtích toàn đỉnh ph năngn , lượng là hấp s thụ toànng t phần, Nd là số lượngi b tử m t qu c th hi n hơn hẳn so với công bố này. Điều đó có thể lý giải là do ởviệc bởả nbgảgamman 1g v1à v hìnhđià hìnhtới 7.bề 7.mặt đầu đo. Kết quả được thể hiện ở bảng 1 bọc teflon và lá nhôm cộng với sử dụng S8664-1010 đã hạn chế và hình 7. BảBnảgn 1.g 1.C ácC ácgiá giá tr ịtr thị ựthcự ncg nhgiệhmiệ mcủ caủ hai ệhuiệ suu ấsut ấgth gi hniộ ni ộtoi àtonà phn phầnầ, nh,i ệhuiệ suu ấsut ấgth gi hniộ ni ội quqaungang đi ệđinệ. n. 63(3) 3.2021 48 DetectDetector oCsI(Tl)r CsI(Tl) NăNăngn lgư ợlưngợng ĐồĐồngn vịg vị phpáth át(k eV)(keV) HiệHiệu suu ấtsu ấtgh gi hniộ ni ộ i HiệHiệu suu ấtsu ấtgh gi hniộ ni ội toàtonà pnh pầhnầ n (%(%) ) quqaungang điệ điện n (%(%) ) AmAm-24-214 1 5959,5 ,5 74,74,8±83±,03 ,0 7272,3±,36±,56 ,5 BaBa-133-133 356356,0 ,0 7373,9±,95,±25, 2 51,51,4±42,±62, 6 244244,7 ,7 85,85,8±84,±34, 3 76,76,2±23±,83 ,8 EuEu-152-152 344344,3 ,3 7575,0±,03,±83, 8 5353,7±,71±,61 ,6 CsCs-137-137 661661,6 ,6 58,58,3±33±,53 ,5 2020,8±,81,±61, 6 11731173,2 ,2 47,47,9±94±,34 ,3 9,49±,40,±30, 3 CoCo-60-60 13321332,5 ,5 4545,9±,93±,23 ,2 7,97±,90±,60 ,6
4. Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ Bảng 1. Các giá trị thực nghiệm của hiệu suất ghi nội toàn phần, hiệu Có thể thấy độ phân giải năng lượng không thay đổi nhiều suất ghi nội quang điện. theo thời gian đo, còn vị trí đỉnh thay đổi từ kênh 335 đến 310 Detector CsI(Tl) (25 kênh, cỡ 8%). Cũng có thể do ở khoảng giữa thời gian thực Năng lượng Đồng vị nghiệm, nhiệt độ môi trường đã tăng lên nên hệ số khuếch đại phát (keV) Hiệu suất ghi nội Hiệu suất ghi nội toàn phần (%) quang điện (%) của S8664-55 đã giảm đi và 8% đó là do ảnh hưởng của nhiệt Am-241 59,5 74,8±3,0 72,3±6,5 độ môi trường tới đầu đo. Như vậy, việc khảo sát này sẽ cần Ba-133 356,0 73,9±5,2 51,4±2,6 được thực hiện lại với đảm bảo chắc chắn không có sự thay đổi 244,7 85,8±4,3 76,2±3,8 của nhiệt độ môi trường. Eu-152 344,3 75,0±3,8 53,7±1,6 Năng lượng tiêu thụ: nguồn nuôi cho đầu đo là ±12 V, Cs-137 661,6 58,3±3,5 20,8±1,6 cường độ dòng điện là 49 và 26 mA tương ứng. Như vậy, tổng 1173,2 47,9±4,3 9,4±0,3 công suất tiêu thụ của đầu đo là 900 mW. Co-60 1332,5 45,9±3,2 7,9±0,6 Kết luận Nghiên cứu này được tiến hành gần tương tự như các nghiên cứu [1-3]. Các số liệu kết quả cho thấy nghiên cứu này đã đạt được những kết quả tích cực, độ phân giải detector có thể so với giá trị ~6,4% ở 1,17 MeV và 5,5% ở 1,33 MeV trong nghiên cứu [3], nếu tiếp tục cải thiện có thể mang lại khả năng thương mại hóa các đầu đo nhấp nháy sử dụng quang đi ốt thác lũ. Có thể đánh giá đây là một thành công của việc nội địa hóa trang thiết bị ghi đo bức xạ hạt nhân của Việt Nam. Các thử nghiệm với tiền khuếch đại có độ nhạy cao hơn sẽ được thực hiện trong thời gian tới để nâng cao độ phân giải năng lượng và hạ thấp ngưỡng đo dưới của đầu đo. Hình 7. Hiệu suất ghi nội toàn phần và hiệu suất ghi nội quang điện LỜI CẢM ƠN của đầu đo. Các tác giả trân trọng cảm ơn Trường Đại học Bách khoa Độ ổn định: mức độ ổn định của hệ số chuyển đổi năng Hà Nội đã tài trợ cho nghiên cứu này thông qua đề tài T2018- lượng tia bức xạ sang vị trí kênh của đỉnh hấp thụ quang điện PC-124. được đánh giá bằng sự thay đổi của vị trí đỉnh theo thời gian đo. Nhằm đánh giá độ ổn định phổ đầu đo được chế tạo nêu TÀI LIỆU THAM KHẢO trên, thực nghiệm khảo sát độ ổn định phổ theo thời gian dài [1] Jin Hyoung Bai, Joo Ho Whang (2011), “The optimization of CsI(Tl)-PIN đã được thực hiện. Thời gian thử nghiệm là 10 giờ, bước chia photodiode for high-energy gamma-ray detection”, Nuclear Science and Technol- 15 phút/phổ để đánh giá sự ổn định của vị trí đỉnh phổ 137Cs và ogy, 1, pp.308-311. độ phân giải năng lượng. Đo theo điều kiện môi trường, với [2] Y.T. Vydai, et al. (2006), “Stability of spectrometric characteristics of nhiệt độ biến thiên từ 250C lúc 8g00 sáng và đạt cực đại 350C CsI:Tl detectors depending on the surface treatment method”, Instruments and lúc 13g00. Kết quả khảo sát sự ổn định phổ của đầu đo CsI(Tl) Experimental Techniques, 49(3), pp.314-317. được thể hiện ở hình 8. [3] R. Scafè, R. Pani, R. Pellegrini, G. Iurlaro, L. Montani & M. Nerina Cin- ti (2007), “Si-APD readout for LaBr3:Ce scintillator”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 571(1-2), pp.355-357. [4] G. Knoll (2000), Radiation Detection and Measurement, John Wiley & Sons, Ltd. [5] Hamamatsu Photonics (2017), Si APD S8664 series data sheet, 6pp. [6] [7] Martín Gascón, et al. (2008), “Optimization of energy resolution obtained with CsI(Tl) crystals for the R3B calorimeter”, IEEE Transactions on Nuclear Science, 55(3), pp.1259-1262. [8] [9] G.R. Gilmore (2008), Practical Gamma-ray Spectrometry, John Wiley Hình 8. Khảo sát sự ổn định phổ của detector CsI(Tl) theo thời gian. & Sons, Ltd. 63(3) 3.2021 49